例如鈦合金于加熱和冷卻時發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變，低溫為α相密排六方結(jié)構(gòu))，高溫為β相體心立方結(jié)構(gòu)，其中間是“α+β”兩相區(qū)，即相變溫度區(qū)間。蘇州半導體生長爐為了得到接近平衡的室溫穩(wěn)定組織和細化晶粒，也進行重結(jié)晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區(qū)間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉(zhuǎn)變?yōu)棣孪嗟募毿【Я＃?a href="/tag/%E8%8B%8F%E5%B7%9E" target="_blank">蘇州半導體生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉(zhuǎn)變?yōu)棣料嗷颚?β兩相的細小晶粒。

不完全退火不完全退火是將鐵碳合金加熱到Ac1-Ac3之間溫度，達到不完全奧氏體化，隨之緩慢冷卻的退火工藝。不完全退火主要適用于中、高碳鋼和低合金鋼鍛軋件等，其目的是細化組織和降低硬度，保溫后緩慢冷卻。蘇州半導體生長爐完全退火重結(jié)晶退火完全退火應用于平衡加熱和冷卻時有固態(tài)相變(重結(jié)晶)發(fā)生的合金。蘇州半導體生長爐其退火溫度為各該合金的相變溫度區(qū)間以上或以內(nèi)的某一溫度。加熱和冷卻都是緩慢的。合金于加熱和冷卻過程中各發(fā)生一次相變重結(jié)晶，故稱為重結(jié)晶退火，常被簡稱為退火。

退火爐采用金屬熱處理退火工藝，將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。蘇州半導體生長爐目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余應力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調(diào)整組織，消除組織缺陷。蘇州半導體生長爐使經(jīng)過鑄造、鍛軋、焊接或切削加工的材料或工件軟化，改善塑性和韌性，使化學成分均勻化，去除殘余應力，或得到預期的物理性能。鑄件在冷卻過程中，積累了大量的內(nèi)應力，要通過退火爐來消除內(nèi)應力。

目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結(jié)方式上。蘇州半導體生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結(jié)，新工藝采用的是高溫真空爐燒結(jié)。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。蘇州半導體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結(jié)中會產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫燒結(jié)等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。